传三星2022年开始量产3nm芯片 性能预计提升35%

三星于2019年5月发布了3GAE(3nm Gate-All-Around Early)和3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)节点,承诺通过这些新技术生产的芯片可以大幅降低功耗并提高整体性能. 与现有的7LPP节点技术相比,除了降低50% 的功耗之外,还预计性能提升35%。

星空站长网(XingkongWeb.com)7月13日消息:三星于2019年5月发布了3GAE(3nm Gate-All-Around Early)和3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)节点,承诺通过这些新技术生产的芯片可以大幅降低功耗并提高整体性能. 与现有的7LPP节点技术相比,除了降低50% 的功耗之外,还预计性能提升35%。

传三星2022年开始量产3nm芯片 性能预计提升35%

三星的芯片制造部门——三星代工厂于2021年介绍了这些工艺。三星计划于2021年开始通过该工艺大批量生产芯片。然而,芯片制造市场遇到了一些挑战,疫情在全球的蔓延影响到了原本的计划,导致三星推迟3nm工艺的进度。

三星代工厂现在已经对其3nm工艺节点进行了更改,并表示第一批3GAE 芯片将从2022年开始在其工厂内量产。然而,似乎3GAE芯片已从公司在中国举行的 Foundry2021活动期间公布的路线图中删除,这可能意味着三星早期将只为三星智能手机内部提供3nm芯片。3GAE的后继芯片是3GAP型号,它预计在2023年之前在三星代工厂大批量生产。三星路线图还提供了其他几种芯片技术的时间表,如5LPP 和4LPP,它们定于2021年和2022年高量产。

三星代工厂是仅次于台积电的第二大智能手机芯片制造商。作为三星的一个独立部门,提供关键部件,使三星能够充分应对全球芯片短缺,而不会对其整体业务发展产生重大影响。此前有报道称,三星正在跳过4nm工艺,专注于3nm工艺。虽然目前用于三星最新旗舰产品的芯片是基于5nm工艺制造的,但3nm芯片将更小、性能更强、功耗更高效。

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